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    溝道造句

    更新時(shí)間:2025-07-20 16:41:29復(fù)制

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    溝道造句

      1、最后,模擬研究了“雙溝道”結(jié)構(gòu),并根據(jù)模擬仿真的直流輸出特性以及擊穿特性,優(yōu)化了“低溝道”層和“高溝道”層的結(jié)構(gòu)參數(shù)。

      2、時(shí),由于制造工藝的局限性以及溝道長(zhǎng)度變短、結(jié)深變淺后,器件穿通風(fēng)險(xiǎn)加大。

      3、實(shí)驗(yàn)得到的半波長(zhǎng)與理論計(jì)算值在誤差范圍內(nèi)一致,晶面溝道方向的阻止本領(lǐng)略大于隨機(jī)方向的阻止本領(lǐng)。

      4、本發(fā)明對(duì)底電極的修飾采用溝道半導(dǎo)體材料本身,減小了電極與溝道材料之間的接觸電勢(shì)差。

      5、絕緣柵雙極晶體管。溝道增強(qiáng)模式,高速開(kāi)關(guān)。

      6、這樣在源和漏之間就產(chǎn)生了一個(gè)導(dǎo)電的型溝道。

      7、藉由本發(fā)明可以在維持元件密度的情況下制作較寬的字線,避免短溝道效應(yīng),提升元件的效能。

      8、高能粒子在碳納米管繩里的溝道效應(yīng),顯示大的溝道直徑和微弱的退溝道因子。

      9、基本保留了鳳凰臺(tái)、回水溝與厚慈街的位置,對(duì)十八梯、守備街、花街子、回水溝道路做了進(jìn)一步改善。

      10、溝道效應(yīng)的運(yùn)動(dòng)阻尼與系統(tǒng)走向混沌的臨界特征。

      11、特定來(lái)說(shuō),在非易失性存儲(chǔ)器裝置經(jīng)歷許多編程循環(huán)時(shí),電荷變?yōu)榉@在浮動(dòng)?xùn)艠O與溝道區(qū)之間的絕緣體或電介質(zhì)中。

      12、文中通過(guò)利用耗盡層阻斷溝道的方法,討論了一種基于結(jié)構(gòu)原理實(shí)現(xiàn)“或非”邏輯功能的器件結(jié)構(gòu)。

      13、村周圍成千上萬(wàn)的溝道、石堰,為收藏石頭提供了絕佳的天然場(chǎng)所。

      14、由于這種連接可能出現(xiàn)較大的泄漏溝道,故可用密封劑、密封膠帶或填料來(lái)堵塞這些溝道

      15、被排出的漿液通過(guò)溝道被送到吸收塔排水坑。

      16、通過(guò)與一維模型的比較,說(shuō)明在深亞微米器件中隱埋層的二維效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致器件提前出現(xiàn)短溝道效應(yīng)。

      17、湖底扇、辮狀溝道砂體易于形成巖性油氣藏。

      18、由于溝道存在很強(qiáng)的溝床和溝壁侵蝕,溝道也成為土壤侵蝕風(fēng)險(xiǎn)區(qū)。

      19、產(chǎn)品型號(hào)穩(wěn)定是加工水泵、紡織軸承溝道、滾道之最佳選擇。

      20、在較淺的溝道里,如果流量過(guò)大就可能使溝水漫溢,并引起連鎖反應(yīng),從而產(chǎn)生沖溝。

      21、為了減小小尺寸器件的短溝道效應(yīng),采取了改進(jìn)器件的結(jié)構(gòu)、改變溝道摻雜以及減小柵氧化層厚度等措施。

      22、其課題在于,針對(duì)氮化鎵系的高電子遷移率晶體管,提高二維電子濃度和電子遷移率,并且不產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。

      23、它綜合考慮了襯偏效應(yīng)、短溝道效應(yīng)以及兩者之間的關(guān)系。

      24、經(jīng)分析,是由于金屬柵極的縫隙距離或孔徑過(guò)大,勢(shì)壘區(qū)耗盡層遠(yuǎn)小于溝道寬度,柵壓起不到明顯的調(diào)控作用。

      25、它還集成了兩個(gè)內(nèi)部低飽和晶體管,措置雙溝道充電性能。

      26、模擬結(jié)果顯示:越細(xì)長(zhǎng)的溝道,器件的短溝效應(yīng)越弱,器件的亞閾值斜率隨柵氧化層增厚而加大。

      27、溝道化是斷陷湖盆重力流沉積的一大特色,探討了其有別于經(jīng)典海相重力流相模式的原因。

      28、泥石流溝道侵蝕作為一種特殊的侵蝕類型,與一般水流相比,其侵蝕作用非常強(qiáng)烈,在一次過(guò)程中便可刷深溝床數(shù)米甚至數(shù)十米。

      29、骨干壩的布局應(yīng)遵循三均衡原則,即單壩區(qū)間控制面積基本均衡,對(duì)干支溝的溝道控制基本均衡,單壩淤地面積與區(qū)間控制面積的比值基本均衡。

      30、第五章設(shè)計(jì)了全溝道構(gòu)成的屏上驅(qū)動(dòng)電路,包括反相器、移位寄存器、傳輸門的設(shè)計(jì),并用仿真軟件進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。

      31、三級(jí)模型也成為半經(jīng)驗(yàn)?zāi)P?,這個(gè)模型不僅包括了亞閾值情況,而且還試圖說(shuō)明了短溝道效應(yīng)和窄溝道效應(yīng)。 [hao86.com好查]

      32、提出了近北遠(yuǎn)南、截流溝道、河灘漫流、排口分級(jí)管理的新觀點(diǎn)。

      33、帶電粒子在晶體中的運(yùn)動(dòng)會(huì)受到溝道效應(yīng)和阻塞效應(yīng)的強(qiáng)烈影響。

      34、傳統(tǒng)晶體管使用一個(gè)叫做“柵極”的金屬電極,以控制電子在平面硅基片上的溝道中的流動(dòng)。

      35、介紹一種采用電磁鐵驅(qū)動(dòng)的砂輪修整定位機(jī)構(gòu),用于單溝道軸承磨床改造,實(shí)現(xiàn)軸承套圈雙溝道一次磨削和自動(dòng)磨削。

      36、闡述了土谷坊的設(shè)計(jì)原則、施工方法及其在溝道治理工程中的應(yīng)用。