偏壓造句
更新時間:2025-06-01 20:31:22復(fù)制
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偏壓造句
1、當(dāng)左右電子庫之間存在偏壓時,通過對系統(tǒng)的自旋電流與電荷流公式的分析,得到系統(tǒng)中只存在電荷流而沒有自旋電流的條件。
2、干涉儀的兩個臂長相差波導(dǎo)波長的四分之一,使器件在最佳線性點(diǎn)工作,無需外加電偏壓。
3、在很大的反向偏壓下,光電流緊隨著電吸收發(fā)生變化。
4、當(dāng)正向偏壓足夠高時,擴(kuò)散電容很容易超過空間電荷壓電容。
5、其只利用幾個模擬參數(shù),就能準(zhǔn)確的推測電子傳輸率在各種閘極偏壓下的大小。
6、用戶可以設(shè)定測量信號的直流偏壓,測量振幅,脈沖寬度。
7、雪崩光電二極管的偏壓產(chǎn)生電路。
8、基極的順向偏壓通常是用和集極相同的電壓源。
9、本文主要論述基板員偏壓與銅基體磁控濺射離子鍍鋁膜的關(guān)系。
10、正向信號則使它的正向偏壓減弱。
11、不同釘扎層所貢獻(xiàn)的漏磁場導(dǎo)致自由層有不同的矯頑場及偏壓場。
12、一個測試系統(tǒng)中的主要部分可能包括直流偏壓、直流測量、功率計、網(wǎng)絡(luò)分析儀、源,以及其它儀器。
13、研究表明,負(fù)襯底偏壓增強(qiáng)成核主要是發(fā)射電子和離子轟擊的結(jié)果。
14、結(jié)果表明擴(kuò)散系數(shù)和擴(kuò)散距離都隨著負(fù)襯底偏壓的增大而增大。
15、結(jié)果表明隨著負(fù)偏壓的增大,準(zhǔn)直碳納米管的平均直徑減小,平均長度增大。
16、采用有限差分軟件,對淺埋偏壓單線鐵路隧道和四車道公路隧道進(jìn)行數(shù)值模擬。
17、構(gòu)造圓形截面正截面偏壓承載力極限狀態(tài)方程時,采用二次多項(xiàng)式替代了求解受壓區(qū)混凝土截面面積的圓心角的超越方程,實(shí)現(xiàn)了對該節(jié)點(diǎn)的可靠度計算。
18、本文采用交替施加高偏壓和低偏壓的方法,合成出了具有軟膜和硬膜結(jié)構(gòu)的無氫類金剛石多層膜。
19、于一實(shí)施例中,該集成電路經(jīng)由第一節(jié)點(diǎn)接收來自麥克風(fēng)的第一信號,包括偏壓電路及緩沖電路。
20、研究了處理時間、氣體流量和電極偏壓對增塑劑滲出量的影響。
21、處理后,器件各柵偏壓下的源漏飽和電流降低了,柵漏擊穿電壓有了顯著提高。
22、假如隧道在較長范圍內(nèi)沿著黃土沖溝走向或者與黃土塬邊平行走向,而覆蓋層又較薄或偏壓很大,就會輕易發(fā)生較大的坍塌或滑坡現(xiàn)象。
23、脈沖的電壓,寬度,預(yù)設(shè)直流偏壓和偏置時間可以由用戶設(shè)定。
24、在本文中,筆者對偏壓連拱隧道的施工技術(shù)進(jìn)行了分析和研究。 (hao86.com好查)
25、實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明這種射頻基片偏壓振蕩現(xiàn)象與等離子體放電參數(shù)以及調(diào)諧電路參數(shù)等多種因素密切相聯(lián)系。
26、當(dāng)利用這一配置測量漏流時,通過每個繼電器的常閉觸點(diǎn)同時向所有的二極管施加偏壓。
27、并在此基礎(chǔ)上,詳細(xì)討論了表面聲波的頻率和功率,以及門電壓和源漏偏壓對聲電電流的影響。
28、橋式超導(dǎo)故障限流器,它由超導(dǎo)磁體、二極管橋路和直流偏壓源組成。
29、注意到這并不比固定偏壓的例子復(fù)雜。
30、等離子體浸沒離子注入是一種新形式的離子注入技術(shù),是利用負(fù)偏壓工件周圍形成的等離子體鞘層進(jìn)行離子加速、進(jìn)而獲得離子注入。
31、最后一階段我們對前翼進(jìn)行了一點(diǎn)調(diào)整,包括剎車偏壓,還降低了一些胎壓,使得情況稍有好轉(zhuǎn)。
32、當(dāng)供應(yīng)電壓小于限制電壓時,偏壓電流將增加,并決定切換周期的最大截止時間。
33、指出從偏壓隧道實(shí)際工程中總結(jié)其彈性抗力分布規(guī)律是假定抗力法付諸應(yīng)用的一個簡單有效的方法。
34、研究了基片分支串聯(lián)電阻對基片自偏壓的影響,發(fā)現(xiàn)了在電阻值區(qū)自偏壓自振蕩現(xiàn)象;
35、分析了不同偏壓條件下聲光強(qiáng)度調(diào)制的波形失真。
36、一種脈沖負(fù)偏壓電源是由多個脈沖分量形成的電路串聯(lián)構(gòu)成,脈沖的頻率和占空比直接在高壓側(cè)調(diào)節(jié)。
37、利用納米硬度計研究了薄膜沉積過程中基體負(fù)偏壓對薄膜硬度和彈性的影響。
38、藍(lán)光強(qiáng)度與黃光強(qiáng)度的比值隨著反向偏壓的增加而增加。4000877588.com.cn/ZAOJU/
39、且隨著基片偏壓值的增大,電子能量有緩慢的增加,而電子密度則顯著下降。
40、提出了基于有限單元法求解偏壓隧道襯砌結(jié)構(gòu)可靠度的方法,開發(fā)了實(shí)用計算機(jī)程序,并給出實(shí)際算例。