晶體點(diǎn)陣造句
更新時(shí)間:2025-08-03 22:34:14復(fù)制
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晶體點(diǎn)陣造句
1、其工作原理是,鈰氧化物加熱后可以把氧原子從其原有的晶體點(diǎn)陣上剝離出來。
2、對于不同金屬與合金小平面的方位與晶體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的相互關(guān)系,用滑移型和層錯能進(jìn)行描述。
3、本文應(yīng)用格林函數(shù)方法討論了晶體點(diǎn)陣的色散的二級電矩效應(yīng),并且也考慮了非簡諧勢的效果。
4、若要發(fā)現(xiàn)這些細(xì)微改變,必須對晶體的點(diǎn)陣常數(shù)進(jìn)行精確測定。
5、晶體的點(diǎn)陣常數(shù)是晶體的重要參數(shù),它的改變是極細(xì)微的。
6、正電子湮沒參數(shù)的周期性,與點(diǎn)陣畸變和晶體缺陷的周期性變化有關(guān)。
7、準(zhǔn)晶和晶體一樣具有規(guī)則點(diǎn)陣,當(dāng)時(shí)這些點(diǎn)陣經(jīng)過旋轉(zhuǎn)后并不是等價(jià)的。
8、本文報(bào)道了我國最近發(fā)現(xiàn)的硅硼鎂鋁礦晶胞參數(shù)、微雙晶結(jié)構(gòu)的電子衍射分析,晶體缺陷和礦物高分辨點(diǎn)陣象的透射電鏡觀測結(jié)果。
9、晶體生長形成結(jié)晶金屬原子最后到達(dá)點(diǎn)陣中的固定位置,晶體逐漸長大。
10、實(shí)驗(yàn)還觀察到經(jīng)過長期高溫退火的晶體中單個(gè)位錯成規(guī)則的點(diǎn)陣分布,或排列成位錯墻。
11、摻鎂濃度對晶體相匹配溫度、相匹配角、光學(xué)均勻性、點(diǎn)陣常數(shù)和密度的影響。
12、這種性質(zhì)起因于晶體結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性,因?yàn)樵谶@類鈣鈦礦型的超點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中存在很多氧空位。
13、假如在這個(gè)晶體上原先擁有著一個(gè)電荷,這些洞和電子將會向反方向移動,進(jìn)入點(diǎn)陣并制造更多的洞。
14、一種是通過鍵盤輸入數(shù)據(jù)后微型機(jī)進(jìn)行比較校核,這種程序適用于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)少,晶體點(diǎn)陣已知或物相數(shù)量少的情況;