教育背景
1996—2000年，就讀于河北師范大學(xué)物理教育專(zhuān)業(yè)，獲學(xué)士學(xué)位
2000—2006年，就讀于廈門(mén)大學(xué)凝聚態(tài)物理專(zhuān)業(yè)，獲博士學(xué)位
工作經(jīng)歷
2006年至今，任教于天津大學(xué)信息學(xué)院
主要研究領(lǐng)域
（1） 新型半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)
（2） 光電子器件與光電集成電路
（3） 射頻集成電路設(shè)計(jì)
講授課程
（1） 《量子力學(xué)與統(tǒng)計(jì)物理》
（2） 《現(xiàn)代電子器件與模擬仿真》
（3） 《微電子技術(shù)工藝原理》
科研成果
已完成項(xiàng)目
1、InP基有源可調(diào)諧振濾波器的研究，天津大學(xué)青年教師培養(yǎng)基金, 主持人，2008.10- 2010.12
在研項(xiàng)目
1、“InP基垂直耦合微環(huán)激光器的研究”，天津市基礎(chǔ)研究重點(diǎn)項(xiàng)目，主持人，2010.4-2013.3
2、“帶模擬均衡器的硅基單片光電接收機(jī)研究”，教育部博士點(diǎn)新教師基金，主持人，2009.1- 2011.12
3、“InAlN/GaN無(wú)應(yīng)變新異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管材料研究”，國(guó)家自然科學(xué)基金（合作申請(qǐng)），天津大學(xué)負(fù)責(zé)人，2009.1-2011.12
1、Xie S, Chen S Y, Guo W L, Mao L H. Low-temperature direct wafer bonding of GaAs/InP. Superlattice and Microstructure, 2009, 45(2): 47-53.
2、Xie S, Liu L S, Kang W P, Song R L, Mao L H, Zhang S L. Theoretical analysis and simulation of InP-based UTC-PD. Chinese Science Bulletin. 2009. 54(20), 2009: 3691- 3696.
3、Xie S，Chen C, Bian J T. Simulation of InP-based monolithically intergrated PIN-HEMT front-end optical receiver，Proceeding of SPIE, APOC 2004, 5624: 642-652.
4、謝生, 郭維廉, 李獻(xiàn)杰,齊利芳, 于欣, 于晉龍, 陳燕, 毛陸虹, 張世林. InP基低閾值單向雙穩(wěn)態(tài)工作微環(huán)激光器的設(shè)計(jì)與制備. 中國(guó)激光, 2011, 38(3): 0302011.
5、謝生,張彬,毛陸虹, 郭維廉, 陳燕, 于欣, 張世林. 有限元分析法在SOI基微環(huán)諧振器設(shè)計(jì)中的應(yīng)用. 發(fā)光學(xué)報(bào), 2010, 31(4): 599-604.
6、謝生，陳朝，毛陸虹. InP材料Zn擴(kuò)散的新方法. 功能材料,40(3),2009:360-361.
7、謝生,陳松巖,陳朝,毛陸虹. SiNx薄膜的性質(zhì)及其在開(kāi)管擴(kuò)Zn中的應(yīng)用. 功能材料, 39
(9),2008: 1519-1521.
8、謝生,陳松巖,毛陸虹,郭維廉. InP/GaAs異質(zhì)鍵合界面的XPS研究.功能材料,40 (4),2009: 532-534.
9、Liu L S, Xie S, Mao L H, Zhang S L, Qi H T. Transient simulation and optimization of InP/InGaAs uni-traveling carrier photodetector. Optoelectronics Letters. 2010, 6(3): 0191-0194.
10、侯玉文, 謝生. 半導(dǎo)體微環(huán)諧振器及在光學(xué)濾波中的應(yīng)用. 光電技術(shù)應(yīng)用, 2010, 25(1): 33-37.
