基本解釋

電源內(nèi)部的電路。

詞語(yǔ)來(lái)源

該詞語(yǔ)來(lái)源于人們的生產(chǎn)生活。

詞語(yǔ)造句

1、內(nèi)電路全部采用大功率繼電器轉(zhuǎn)換，避免了經(jīng)常燒毀開關(guān)現(xiàn)象。
2、事實(shí)上，此次冬奧的獎(jiǎng)牌，包括使用的金屬在內(nèi)，都是利用電子設(shè)備內(nèi)的電路板制成的。
3、通過(guò)在時(shí)域范圍內(nèi)對(duì)電路拓?fù)涞墓ぷ髟砗透鱾€(gè)工作模態(tài)的詳細(xì)研究與分析，推導(dǎo)出了電源的各模態(tài)數(shù)學(xué)模型。
4、通過(guò)建立的解凍槽內(nèi)模擬電路模型，分析了肉在通電加熱解凍過(guò)程中電能利用率、肉內(nèi)產(chǎn)熱量、肉兩側(cè)間電壓的變化；
5、新兵使電流在周長(zhǎng)上在電路內(nèi)循環(huán)。
6、并聯(lián)電路：電路內(nèi)的各部件都連于同一的電壓上，但電流于各部件間分開，過(guò)后再匯合。
7、一只手指或者導(dǎo)電接觸螢?zāi)坏募夤P建立一條容性地道路在這條電路內(nèi)。
8、XX節(jié)所描述的內(nèi)部總線通過(guò)一組位于微處理器集成電路內(nèi)的總線緩沖器與外部總線連接。
9、電路內(nèi)附反符合控制輸入和門信號(hào)放大器，可實(shí)現(xiàn)對(duì)多道分析器的堆積拒絕和反符合控制。
10、在保溫時(shí)間內(nèi)所有的電路電容在測(cè)量開始前穩(wěn)定下來(lái)。
11、其次對(duì)集成電路內(nèi)所需要的基本模擬及數(shù)字電路如有源電阻、電流鏡、電壓比較器、與門及或門進(jìn)行了設(shè)計(jì)和仿真。
12、同樣由于很多功能都集中在單片芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)，電路的穩(wěn)定性也得以提高。
13、冷卻商會(huì)進(jìn)一步包括第一個(gè)第三，通過(guò)電路內(nèi)，其中有制冷液流動(dòng)。
14、本論文主要研究了CMOS工藝中，集成電路片內(nèi)ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。
15、文中首先介紹了內(nèi)建自測(cè)試的實(shí)現(xiàn)原理，在此基礎(chǔ)上以八位行波進(jìn)位加法器為例，詳細(xì)介紹了組合電路內(nèi)建自測(cè)試的設(shè)計(jì)過(guò)程。
16、在移動(dòng)基站內(nèi)，無(wú)線電電路通常安裝在柜中，用電纜把電路同天線在塔頂連接起來(lái)。
17、本文提出了采用模擬多路開關(guān)的模擬內(nèi)建自測(cè)試電路ABIST的一種新結(jié)構(gòu)。
18、介紹了我省電力調(diào)度通信大樓在市區(qū)內(nèi)三條微波電路被阻擋的情況，闡述了解決的方法與處理的過(guò)程。
19、該制造商認(rèn)為：如果在放大器電路板內(nèi)安裝一個(gè)自動(dòng)校準(zhǔn)電路，增加的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出可接受的范圍。
20、文中給出了利用后端設(shè)計(jì)的EDA工具對(duì)無(wú)線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)膠囊內(nèi)數(shù)字集成電路進(jìn)行物理實(shí)現(xiàn)的過(guò)程。
21、該制造商認(rèn)為：假如在放大器電路板內(nèi)安裝一個(gè)自動(dòng)校準(zhǔn)電路，增加的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出可接受的范圍。
22、重點(diǎn)討論了基于LTCC的三維微波集成電路和內(nèi)埋無(wú)源元件技術(shù)。
23、微處理器內(nèi)嵌鎖相環(huán)電路主要有兩種類型：數(shù)?；旌闲秃腿珨?shù)字型。
24、根據(jù)一般數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，本論文中研究的系統(tǒng)可分成片外A/D轉(zhuǎn)換電路和片內(nèi)系統(tǒng)兩大部分。
25、半導(dǎo)體集成電路通常被封裝在集成電路管殼內(nèi)，以保護(hù)集成電路不受外界機(jī)械損傷和化學(xué)侵蝕。
26、本文首次利用時(shí)域有限差分（FDTD）法分析了高速集成電路芯片內(nèi)半導(dǎo)體基片上的有耗互連傳輸線的電特性。
27、它具有串行口，片內(nèi)晶振及時(shí)鐘電路。
28、分析結(jié)果表明，該方法很適合高速集成電路芯片內(nèi)互連線的計(jì)算機(jī)輔助分析。
29、采用二維時(shí)域有限差分（2D-FDTD）法精確計(jì)算了高速集成電路芯片內(nèi)互連線的頻變等效電路參數(shù)。
30、分析了高速集成電路芯片內(nèi)互連線的時(shí)域特性。