基本解釋
導(dǎo)體或半導(dǎo)體的導(dǎo)電作用是通過帶電粒子的運動（即形成電流）而實現(xiàn)的，這種電流的載體叫做載流子。
詞語來源
該詞語來源于人們的生產(chǎn)生活。
詞語造句
1、理論上基于載流子消耗機(jī)制，對激光器型波長轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了小信號分析，給出了頻率響應(yīng)函數(shù)。
2、研究了不同輻照能量密度和不同激光波長對載流子密度和溫度超快變化過程的影響規(guī)律。
3、這種材料中的載流子，許多特性都差不多可用真空中的自由電子的特性來表征。
4、研究了MOS器件中的熱載流子效應(yīng)，在分析了靜態(tài)應(yīng)力下MOSFET壽命模型的基礎(chǔ)上，提出了動態(tài)應(yīng)力條件下MOSFET的壽命模型。
5、研究電致發(fā)光有機(jī)薄膜中載流子的輸運過程，遷移率是描述輸運過程的關(guān)鍵物理量。
6、分析有源區(qū)內(nèi)載流子和VCL光子密度的變化，揭示了增益鉗制的物理機(jī)理。
7、進(jìn)一步的分析認(rèn)為，P3峰很可能聯(lián)系于欠摻雜區(qū)載流子的異常行為。
8、為減小基區(qū)電阻和防止低溫載流子凍析，可增加基區(qū)濃度。
9、熱載流子通過發(fā)射和吸收聲子，與晶格進(jìn)行能量交換。
10、而這種計算機(jī)模擬方法不僅可以得到自由光電子的衰減曲線，還可同時獲得各種俘獲中心中載流子的行為曲線。
11、光子探測器對不同波長的分光響應(yīng)是不同的，但是存在一個由束縛和自由載流子之間的半導(dǎo)體能隙所確定的能閾。
12、本文提出了一種測量少數(shù)載流子壽命的方法。
13、在LED電極歐姆接觸中，載流子在金屬電極和半導(dǎo)體間有不同的傳輸機(jī)制。
14、BCP層起到了調(diào)節(jié)載流子復(fù)合區(qū)域和改變器件發(fā)光顏色的作用，因此控制BCP的厚度可以改善器件的性能。
15、測試晶體的吸收光譜、指數(shù)增益系數(shù)、衍射效率和有效載流子濃度。
16、實驗認(rèn)為，器件性能退化是由中子輻照砷化鎵材料的載流子去除效應(yīng)引起的。
17、這個過程與載流子濃度和晶格溫度有密切關(guān)系。
18、其中，第一個晶粒間界能夠最有效地減少注入飽和少數(shù)載流子電流。
19、利用少數(shù)載流子的穩(wěn)態(tài)連續(xù)性方程和半導(dǎo)體材料對光的吸收，求出光電流的表達(dá)式。
20、另外試驗結(jié)果也給研究有機(jī)發(fā)光二極管中載流子遷移率提供了一些線索。
21、此外，表面粗糙散射和高場散射主要影響高場下載流子遷移率。
22、指出能量轉(zhuǎn)換特性的最重要的弛豫過程是電子-聲子相互作用，決定了由電子載流子系統(tǒng)到晶格的能量轉(zhuǎn)換。
23、紅外等離子反射光譜與晶體材料的載流子濃度、遷移率和有效質(zhì)量等參數(shù)有關(guān)。
24、平衡晶體中載流子的產(chǎn)生與復(fù)合處于動態(tài)平衡之中。
25、相對而言，在OFET的器件結(jié)構(gòu)和器件參數(shù)以及有機(jī)半導(dǎo)體載流子的輸運機(jī)制等方面的研究就比較少。
26、隨著MOS器件尺寸逐漸減小，由熱載流子效應(yīng)導(dǎo)致的損傷變得越來越嚴(yán)重，已成為影響器件性能的主要失效機(jī)制之一。
27、本文回顧了超聲波與半導(dǎo)體中的載流子之間的聲電相互作用。
28、在室溫條件下測量電流和磁場的大小對載流子濃度和遷移率測量結(jié)果的影響。
29、從器件內(nèi)部載流子的輸運規(guī)律出發(fā)，作者闡述了這三個極限參數(shù)引起GTO失效的機(jī)理，建立了三種不同的失效模式；
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