基本解釋
在晶體三極管基極和發(fā)射極之間加上的直流電壓。
詞語來源
該詞語來源于人們的生產(chǎn)生活。
詞語造句
1、脈沖的電壓，寬度，預(yù)設(shè)直流偏壓和偏置時(shí)間可以由用戶設(shè)定。
2、在本文中，筆者對偏壓連拱隧道的施工技術(shù)進(jìn)行了分析和研究。
3、在微波等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中，研究了負(fù)偏壓形核對金剛石薄膜與WC6%硬質(zhì)合金刀具附著力的影響。
4、介紹的新型CUK型變換器，旨在實(shí)現(xiàn)一種高效、低成本、輸出電壓紋波極低的負(fù)偏壓設(shè)計(jì)方案。
5、用戶可以設(shè)定測量信號(hào)的直流偏壓，測量振幅，脈沖寬度。
6、一個(gè)測試系統(tǒng)中的主要部分可能包括直流偏壓、直流測量、RF功率計(jì)、網(wǎng)絡(luò)分析儀、RF源，以及其它儀器。
7、還就反向偏壓以及CMOS工藝中介質(zhì)與鈍化層等因素對探測器響應(yīng)度的影響進(jìn)行了討論。
8、實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明這種射頻基片偏壓振蕩現(xiàn)象與等離子體放電參數(shù)以及調(diào)諧電路參數(shù)等多種因素密切相聯(lián)系。
9、當(dāng)利用這一配置測量漏流時(shí)，通過每個(gè)繼電器的常閉觸點(diǎn)同時(shí)向所有的二極管施加偏壓。
10、并在此基礎(chǔ)上，詳細(xì)討論了表面聲波的頻率和功率，以及門電壓和源漏偏壓對聲電電流的影響。
11、橋式超導(dǎo)故障限流器，它由超導(dǎo)磁體、二極管橋路和直流偏壓源組成。
12、注意到這并不比固定偏壓的例子復(fù)雜。
13、等離子體浸沒離子注入是一種新形式的離子注入技術(shù)，是利用負(fù)偏壓工件周圍形成的等離子體鞘層進(jìn)行離子加速、進(jìn)而獲得離子注入。
14、最后一階段我們對前翼進(jìn)行了一點(diǎn)調(diào)整，包括剎車偏壓，還降低了一些胎壓，使得情況稍有好轉(zhuǎn)。
15、當(dāng)供應(yīng)電壓小于限制電壓時(shí)，偏壓電流將增加，并決定切換周期的最大截止時(shí)間。
16、對利用熱燈絲CVD沉積金剛石膜時(shí)負(fù)襯底偏壓增強(qiáng)金剛石的核化過程進(jìn)行了分析。
17、本文對熱燈絲CVD沉積金剛石膜的核化過程進(jìn)行了分析，從理論上研究了負(fù)襯底偏壓增強(qiáng)活性離子的流量。
18、假如隧道在較長范圍內(nèi)沿著黃土沖溝走向或者與黃土塬邊平行走向，而覆蓋層又較薄或偏壓很大，就會(huì)輕易發(fā)生較大的坍塌或滑坡現(xiàn)象。
19、指出從偏壓隧道實(shí)際工程中總結(jié)其彈性抗力分布規(guī)律是假定抗力法付諸應(yīng)用的一個(gè)簡單有效的方法。
20、研究了基片分支串聯(lián)電阻對基片自偏壓的影響，發(fā)現(xiàn)了在電阻值區(qū)自偏壓自振蕩現(xiàn)象；
21、采用有限差分軟件，對淺埋偏壓單線鐵路隧道和四車道公路隧道進(jìn)行數(shù)值模擬。
22、當(dāng)正向偏壓足夠高時(shí)，擴(kuò)散電容很容易超過空間電荷壓電容。
23、分析了不同偏壓條件下聲光強(qiáng)度調(diào)制的波形失真。
24、一種脈沖負(fù)偏壓電源是由多個(gè)脈沖分量形成的電路串聯(lián)構(gòu)成，脈沖的頻率和占空比直接在高壓側(cè)調(diào)節(jié)。
25、利用納米硬度計(jì)研究了薄膜沉積過程中基體負(fù)偏壓對薄膜硬度和彈性的影響。
26、它已用于HL-1的各種物理實(shí)驗(yàn)，諸如偏壓電極放電的實(shí)驗(yàn)，微波加熱實(shí)驗(yàn)，彈丸注入的實(shí)驗(yàn)等。
27、藍(lán)光強(qiáng)度與黃光強(qiáng)度的比值隨著反向偏壓的增加而增加。
28、晶界電阻隨直流偏壓變化的關(guān)系也為IBLC提供了間接的證據(jù)。
29、且隨著基片偏壓值的增大，電子能量有緩慢的增加，而電子密度則顯著下降。
30、提出了基于有限單元法求解偏壓隧道襯砌結(jié)構(gòu)可靠度的方法，開發(fā)了實(shí)用計(jì)算機(jī)程序，并給出實(shí)際算例。
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